Medidor não-invasivo de potencial de pico em tubo de raios-X baseado em MOSFET

Abstract

A presente invenção refere-se a um medidor de potencial de pico em tubo de raios-X (kVp – kilovoltagem de pico) de forma não-invasiva usando dois dispositivos MOSFETs (11) e (12) que são simultaneamente expostos aos feixes de raios-X, juntos um ao outro. O valor de kVp é determinado por meio da medição dos sinais elétricos gerados pelos MOSFETs os quais têm características elétricas semelhantes porém as suas características mecânicas são diferentes, proporcionando assim uma relação matemática entre os sinais para fornecer o valor de kVp em tubo de raios X.