Estudo de propriedades elétricas de filmes semicondutores de polietileno com negro de fumo submetidos à radiação gama-nêutron

Abstract

Atualmente diversos tipos de materiais semicondutores são estudados por meio de irradiação para fins de alterar suas propriedades elétricas com propósito de aplicações na indústria e medicina. Filmes de compósitos semicondutores de polietileno dopado com carbon black (carbono amorfo), os quais tem vasta utilização na indústria eletrônica, foram expostos aos feixes de radiação gama e nêutron para fins de analisar o comportamento elétrico com base no eletromagnetismo clássico, teoria de percolação e seu comportamento fractal. Análises experimentais do comportamento elétrico com base nessas teorias são apresentados como resposta aos feixes de radiação gama, nêutron e gama-nêutron, em irradiadores típicos e em um reator nuclear de pesquisa. A característica de estrutura amorfa do material sofre alterações significativas quando analisado do ponto de vista de alteração do expoente fractal tanto pelos feixes de radiação gama como pelos nêutrons, embora efeitos iniciais distintos ocorram para cada tipo de irradiação. O estudo conclui que essa forma de análise do material pode ser utilizada como estimador do fluxo de partículas durante o processo de irradiação se o limite de saturação do efeito não for alcançado.