Resposta com a dose de MOSFET canal N comercial submetido a feixes raios X filtrado

Abstract

O MOSFET pode operar como um detector de radiação em feixes de radioterapia, para tratamento de câncer, por exemplo. Esse dispositivo eletrônico pode atuar como um dosímetro por meio da medição da variação da tensão limiar de porta. O objetivo deste trabalho e apresentar uma forma inovadora de mensurar a resposta com a dose de MOSFET quando submetido aos feixes de raios X gerados a partir do potencial de 100 kV, o que normalmente e utilizado em radiologia diagnostica. Basicamente, o método consiste em medir a corrente de dreno do MOSFET em função da dose de radiação depositada. Para isto, o dispositivo deve ser polarizado de forma tal que haja uma alteração substancial na corrente de dreno depois dele ter sido irradiado. Foram utilizados dois tipos de dispositivos de canal N: transistor de sinal e transistor de potencia. A dose de radiação depositada nos dispositivos foi variada e as curvas de corrente elétrica em função da tensão de polarização foram plotadas. Alem disso, foi feita uma analise de sensibilidade da resposta do MOSFET de potencia, variando o potencial do tubo em 20%. Os resultados mostraram que ambos os tipos de dispositivos tem respostas semelhantes. Alem disso, a mudança na corrente de dreno e proporcional a dose depositada. Ao contrario do MOSFET de potencia, o transistor de sinal não fornece uma função linear entre a taxa de dose e sua corrente de dreno. Observou-se também que a variação no potencial do tubo do equipamento de raios X altera a corrente de dreno do MOSFET de forma proporcional.