Desenvolvimento de instrumentação baseada em MOSFET para medição não- invasiva do potencial de pico (kVp) em tubos de raios X

Abstract

A medição de parâmetros de feixes de raios X aplicados ao diagnóstico médico utilizando semicondutores tem se mostrado economicamente viável, além de ser uma alternativa compacta e robusta frente aos tradicionais detectores a gás. Este trabalho apresenta uma inovadora técnica de medição não invasiva da tensão aplicada ao tubo de raios X (kVp) baseada na relação do efeito da chuva de elétrons com a espessura do encapsulamento de um MOSFET quando exposto a um feixe de radiação ionizante. A vantagem sobre as técnicas convencionais (as quais usam filtros de radiação com diferentes espessuras) reside na maior amplitude do sinal de saída em tempo real que o dispositivo pode fornecer no processo de medição do kVp. Para validação da técnica, foram efetuados diversos testes típicos de sensores sob efeito de raios X de um equipamento clínico para o radiodiagnóstico. Os resultados apontam que o MOSFET utilizado pode fornecer o valor do kVp com alta precisão, originando um pedido de patente de inovação tecnológica no INPI.